cvd（g）系列真空高温管式炉专门设计用于高温cvd工艺,如zno纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（mlcc）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。 一、 技术指标： 设 备 型 号 nt-cvd(g)-08/50/1 温区高温度 1650℃；(长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃ (长恒温时间：≥100小时) 加热有效容积 φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：φ72（内经）×250mm 炉管实际尺寸 φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管） 炉 膛 材 料 氧化铝纤维制品 控制温区点数 1个，1支b分度热电偶 设备温场温差 ±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只) 加 热 元 件 优质硅钼棒 大加热功率 12kw 保 温 功 率 5kw 大升温速率 3℃∽10℃/min; 大降温速率 3℃∽7℃/min 温度均匀性 ±3℃(有效范围：φ72×250mm) 气路配件材料 气路配件材料，端头不锈钢发兰密封， 一路气体采用浮子流量计控制， 所有管道和阀门采用不锈钢元件 极 限 真 空 ≤10pa（常温） ,一级机械泵（配电磁阀）。 压升率 ≤5pa/h 　　　 1000℃时可抽真空，能通保护 外型参考尺寸 1250（l）×1650（h）×650（w）mm 输入动力电源 单相电源，50hz ，220v±10%；10kw 炉体表面温升 ≤45℃